| Caractéristiques |
Accélération d’écriture dynamique, technologie RAIN (Redundant Array of Independent NAND), algorithme d’intégrité des données multi-étapes, protection thermique adaptative, protection contre les coupures d’alimentation, Active Garbage Collection, prise en charge TRIM, technologie SMART (Self-Monitoring and Reporting Technology) et code de correction d’erreur (ECC), Prise en charge de la mise en veille du périphérique |